Toshiba Semiconductor and Storage TRS12E65C,S1Q DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TRS12E65C,S1Q

DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L

Hissə nömrəsi

TRS12E65C,S1Q

İstehsalçı/Brend

Toshiba Semiconductor and Storage

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-2

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220-2L

Diod növü

Silicon Carbide Schottky

Cari - Orta Düzəliş (Io)

12A (DC)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.7V @ 12A

Cari - Əks Sızma @ Vr

90µA @ 170V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

650V

Sürət

No Recovery Time > 500mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

0ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

175°C (Max)

Kapasitans @ Vr, F

65pF @ 650V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 23160 PCS

Əlaqə məlumatı