Transphorm TP65H050WS MOSFET N-CH 650V 34A TO247-3

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

TP65H050WS

MOSFET N-CH 650V 34A TO247-3

Hissə nömrəsi

TP65H050WS

İstehsalçı/Brend

Transphorm

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

GaNFET (Gallium Nitride)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-247-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-247-3

Gücün Dağılması (Maks.)

119W (Tc)

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

650V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

34A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.8V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

24nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1000pF @ 400V

Vgs (Maks.)

±20V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 42915 PCS

Əlaqə məlumatı