Vishay Semiconductor Diodes Division B80C800G-E4/51 BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG

Çin
Peşəkar elektron komponent təchizatçısı

Kataloqlar İstehsalçılar CN ICs

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

B80C800G-E4/51

BRIDGE RECT 1P 125V 900MA WOG

Hissə nömrəsi

B80C800G-E4/51

İstehsalçı/Brend

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

Standard

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

4-Circular, WOG

Təchizatçı Cihaz Paketi

WOG

Diod növü

Single Phase

Gərginlik - Pik Əks (Maks)

125V

Cari - Orta Düzəliş (Io)

900mA

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1V @ 900mA

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 125V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 42563 PCS

Əlaqə məlumatı