Vishay Semiconductor Diodes Division UGB5JT-E3/81 DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

UGB5JT-E3/81

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB

Hissə nömrəsi

UGB5JT-E3/81

İstehsalçı/Brend

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-263AB

Diod növü

Standard

Cari - Orta Düzəliş (Io)

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.75V @ 5A

Cari - Əks Sızma @ Vr

30µA @ 600V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

600V

Sürət

Fast Recovery = 200mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

50ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 150°C

Kapasitans @ Vr, F

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 35794 PCS

Əlaqə məlumatı