Vishay Siliconix SI4010DY-T1-GE3 MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI4010DY-T1-GE3

MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO

Hissə nömrəsi

SI4010DY-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TA)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

Gücün Dağılması (Maks.)

6W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

31.3A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

77nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3595pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

+20V, -16V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 6078 PCS

Əlaqə məlumatı