Vishay Siliconix SI4618DY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI4618DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

SI4618DY-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

1.98W, 4.16W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

FET növü

2 N-Channel (Half Bridge)

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

8A, 15.2A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

44nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1535pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 18671 PCS

Əlaqə məlumatı