Vishay Siliconix SI4804BDY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI4804BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Hissə nömrəsi

SI4804BDY-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Güc - Maks

1.1W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SO

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

5.7A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

22 mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 16943 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC