Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
SI4874BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
Hissə nömrəsi
SI4874BDY-T1-GE3
İstehsalçı/Brend
Serial
TrenchFET®
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Tape & Reel (TR)
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Təchizatçı Cihaz Paketi
8-SO
Gücün Dağılması (Maks.)
1.6W (Ta)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
30V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
3230pF @ 15V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
4.5V, 10V
Vgs (Maks.)
±20V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 40926 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Açar sözlərSI4874BDY-T1-GE3
SI4874BDY-T1-GE3 Elektron komponentlər
SI4874BDY-T1-GE3 Satış
SI4874BDY-T1-GE3 Təchizatçı
SI4874BDY-T1-GE3 Distribyutor
SI4874BDY-T1-GE3 Məlumat cədvəli
SI4874BDY-T1-GE3 Şəkillər
SI4874BDY-T1-GE3 Qiymət
SI4874BDY-T1-GE3 Təklif
SI4874BDY-T1-GE3 Ən aşağı qiymət
SI4874BDY-T1-GE3 Axtar
SI4874BDY-T1-GE3 Satınalma
SI4874BDY-T1-GE3 Çip