Vishay Siliconix SI5402BDC-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI5402BDC-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Hissə nömrəsi

SI5402BDC-T1-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SMD, Flat Lead

Təchizatçı Cihaz Paketi

1206-8 ChipFET™

Gücün Dağılması (Maks.)

1.3W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.9A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

20nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 29073 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8