Vishay Siliconix SI5419DU-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI5419DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Hissə nömrəsi

SI5419DU-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerVDFN

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)

Gücün Dağılması (Maks.)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

45nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1400pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 31759 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8