Vishay Siliconix SI5471DC-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SI5471DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Hissə nömrəsi

SI5471DC-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SMD, Flat Lead

Təchizatçı Cihaz Paketi

1206-8 ChipFET™

Gücün Dağılması (Maks.)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9.1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

96nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2945pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 54592 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8