Vishay Siliconix SI7100DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SI7100DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Hissə nömrəsi

SI7100DN-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® 1212-8

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 1212-8

Gücün Dağılması (Maks.)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

35A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

105nC @ 8V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

3810pF @ 4V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 36095 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SI7100DN-T1-E3

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8