Vishay Siliconix SIA511DJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SIA511DJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Hissə nömrəsi

SIA511DJ-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Güc - Maks

6.5W

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SC-70-6 Dual

FET növü

N and P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.5A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

12nC @ 8V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

400pF @ 6V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 51086 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIA511DJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6