Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
SIHH11N60E-T1-GE3

SIHH11N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
Hissə nömrəsi
SIHH11N60E-T1-GE3
İstehsalçı/Brend
Serial
-
Hissə Vəziyyəti
Discontinued at Digi-Key
Qablaşdırma
Digi-Reel®
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
8-PowerTDFN
Təchizatçı Cihaz Paketi
PowerPAK® 8 x 8
Gücün Dağılması (Maks.)
114W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
600V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
339 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
62nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
1076pF @ 100V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±30V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 48730 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərSIHH11N60E-T1-GE3
SIHH11N60E-T1-GE3 Elektron komponentlər
SIHH11N60E-T1-GE3 Satış
SIHH11N60E-T1-GE3 Təchizatçı
SIHH11N60E-T1-GE3 Distribyutor
SIHH11N60E-T1-GE3 Məlumat cədvəli
SIHH11N60E-T1-GE3 Şəkillər
SIHH11N60E-T1-GE3 Qiymət
SIHH11N60E-T1-GE3 Təklif
SIHH11N60E-T1-GE3 Ən aşağı qiymət
SIHH11N60E-T1-GE3 Axtar
SIHH11N60E-T1-GE3 Satınalma
SIHH11N60E-T1-GE3 Çip