Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
SIHH28N60E-T1-GE3

SIHH28N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8
Hissə nömrəsi
SIHH28N60E-T1-GE3
İstehsalçı/Brend
Serial
E
Hissə Vəziyyəti
Active
Qablaşdırma
Cut Tape (CT)
Texnologiya
MOSFET (Metal Oxide)
İşləmə temperaturu
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaj növü
Surface Mount
Paket / Çanta
8-PowerTDFN
Təchizatçı Cihaz Paketi
PowerPAK® 8 x 8
Gücün Dağılması (Maks.)
202W (Tc)
FET növü
N-Channel
FET Xüsusiyyəti
-
Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)
600V
Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Rds On (Maks) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ İd
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs
129nC @ 10V
Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds
2614pF @ 100V
Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)
10V
Vgs (Maks.)
±30V
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 7719 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərSIHH28N60E-T1-GE3
SIHH28N60E-T1-GE3 Elektron komponentlər
SIHH28N60E-T1-GE3 Satış
SIHH28N60E-T1-GE3 Təchizatçı
SIHH28N60E-T1-GE3 Distribyutor
SIHH28N60E-T1-GE3 Məlumat cədvəli
SIHH28N60E-T1-GE3 Şəkillər
SIHH28N60E-T1-GE3 Qiymət
SIHH28N60E-T1-GE3 Təklif
SIHH28N60E-T1-GE3 Ən aşağı qiymət
SIHH28N60E-T1-GE3 Axtar
SIHH28N60E-T1-GE3 Satınalma
SIHH28N60E-T1-GE3 Çip