Vishay Siliconix SIHJ240N60E-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SIHJ240N60E-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Hissə nömrəsi

SIHJ240N60E-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SO-8

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SO-8

Gücün Dağılması (Maks.)

89W (Tc)

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

600V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

23nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

783pF @ 100V

Vgs (Maks.)

±30V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 27001 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIHJ10N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO