Vishay Siliconix SIHU4N80E-GE3 MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SIHU4N80E-GE3

MOSFET N-CHAN 800V TO-251

Hissə nömrəsi

SIHU4N80E-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Təchizatçı Cihaz Paketi

IPAK (TO-251)

Gücün Dağılması (Maks.)

69W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

800V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

4.3A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

1.27 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

32nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

622pF @ 100V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±30V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 7954 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIHU2N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.8A IPAK