Vishay Siliconix SIR788DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SIR788DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Hissə nömrəsi

SIR788DP-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

SkyFET®, TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Last Time Buy

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SO-8

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SO-8

Gücün Dağılması (Maks.)

5W (Ta), 48W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Schottky Diode (Body)

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

3.4 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

75nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2873pF @ 15V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 29275 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIR770DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8