Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Hissə nömrəsi

SIS888DN-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

ThunderFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TA)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® 1212-8S

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Gücün Dağılması (Maks.)

52W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

150V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

20.2A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

420pF @ 75V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

7.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 13230 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIS822DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212