Vishay Siliconix SIS903DN-T1-GE3 MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SIS903DN-T1-GE3

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Hissə nömrəsi

SIS903DN-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET® Gen III

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® 1212-8 Dual

Güc - Maks

2.6W (Ta), 23W (Tc)

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 1212-8 Dual

FET növü

2 P-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

20.1 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

42nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2565pF @ 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 50677 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIS902DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8