Vishay Siliconix SISC06DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SISC06DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V

Hissə nömrəsi

SISC06DN-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET® Gen IV

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® 1212-8

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 1212-8

Gücün Dağılması (Maks.)

3.7W (Ta), 46.3W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Schottky Diode (Isolated)

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

27.6A (Ta), 40A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

58nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2455pF @ 15V

Vgs (Maks.)

+20V, -16V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 31266 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SISC050N10DX1SA1

MOSFET N-CHAN SAWED WAFER