Vishay Siliconix SISH112DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SISH112DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Hissə nömrəsi

SISH112DN-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® 1212-8SH

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 1212-8SH

Gücün Dağılması (Maks.)

1.5W (Tc)

FET növü

N-Channel

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

11.3A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

7.5 mOhm @ 17.8A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2610pF @ 15V

Vgs (Maks.)

±12V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 13451 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH