Vishay Siliconix SIUD412ED-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SIUD412ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Hissə nömrəsi

SIUD412ED-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® 0806

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 0806

Gücün Dağılması (Maks.)

1.25W (Ta)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

500mA (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

340 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

0.71nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

21pF @ 6V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±5V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12571 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIUD402ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806