Vishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

Hissə nömrəsi

SIZ900DT-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-PowerPair™

Güc - Maks

48W, 100W

Təchizatçı Cihaz Paketi

6-PowerPair™

FET növü

2 N-Channel (Half Bridge)

FET Xüsusiyyəti

Logic Level Gate

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

24A, 28A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

45nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1830pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 5563 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR