Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SIZ998DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR

Hissə nömrəsi

SIZ998DT-T1-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-PowerWDFN

Güc - Maks

20.2W, 32.9W

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-PowerPair®

FET növü

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

30V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

930pF @ 15V, 2620pF @ 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43694 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR