Vishay Siliconix SQ4064EY-T1_GE3 MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SQ4064EY-T1_GE3

MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8SOIC

Hissə nömrəsi

SQ4064EY-T1_GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Təchizatçı Cihaz Paketi

8-SOIC

Gücün Dağılması (Maks.)

6.8W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

12A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

19.8 mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

43nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

2096pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 45916 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SQ4005EY-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 12V 15A 8SOIC