Vishay Siliconix SQD50N04-09H-GE3 MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SQD50N04-09H-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

Hissə nömrəsi

SQD50N04-09H-GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Cut Tape (CT)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-252, (D-Pak)

Gücün Dağılması (Maks.)

83W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

76nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

4240pF @ 25V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 54775 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SQD50N04-09H-GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252