Vishay Siliconix SQJ912AEP-T1_GE3 MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SQJ912AEP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8

Hissə nömrəsi

SQJ912AEP-T1_GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® SO-8 Dual

Güc - Maks

48W

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® SO-8 Dual

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

30A

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

9.3 mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

38nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

1835pF @ 20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 54037 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SQJ910AEP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8