Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3 MOSFET N-CHAN 60V

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

SQS966ENW-T1_GE3

MOSFET N-CHAN 60V

Hissə nömrəsi

SQS966ENW-T1_GE3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

PowerPAK® 1212-8W

Güc - Maks

27.8W (Tc)

Təchizatçı Cihaz Paketi

PowerPAK® 1212-8W

FET növü

2 N-Channel (Dual)

FET Xüsusiyyəti

Standard

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

60V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 1.25A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8.8nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

572pF @ 25V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 50352 PCS

Əlaqə məlumatı