Vishay Siliconix SUP60N02-4M5P-E3 MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

SUP60N02-4M5P-E3

MOSFET N-CH 20V 60A TO220AB

Hissə nömrəsi

SUP60N02-4M5P-E3

İstehsalçı/Brend

Vishay Siliconix

Serial

TrenchFET®

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-220-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-220AB

Gücün Dağılması (Maks.)

3.75W (Ta), 120W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

60A (Tc)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

4.5 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

50nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

5950pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 24593 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

SUP60030E-GE3

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB