Triode/MOS tube/transistor/module
Slkor (Sakor Micro)
İstehsalçılar
Type N+N VDSS(V) 30 ID@TC=60?C(A) 8.5 PD@TC=60?C(W) 1.4 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.40V 23
Təsvir
Wuxi Unisplendour
İstehsalçılar
TF (Tuofeng)
İstehsalçılar
MICROCHIP (US Microchip)
İstehsalçılar
Slkor (Sakor Micro)
İstehsalçılar
Type PNP IC(A) -0.5 VCBO(V) -40 VCEO(V) -25 VEBO(V) -5 VCE(sat)(V) -0.6
Təsvir
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
P-channel, -30V, -1.6A
Təsvir
SHIKUES (Shike)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
UItraFET devices combine features to deliver benchmark energy efficiency in power conversion applications. These devices are optimized for Rds(on), low ESR, low total charge and Miller gate charge for high frequency DC/DC converters.
Təsvir
Cmos (Guangdong Field Effect Semiconductor)
İstehsalçılar
Semiconductor transistor field effect transistor MOS tube, TO-252, P channel, withstand voltage: -60V, current: -35A, 10V internal resistance (Max): 0.033Ω, 4.5V internal resistance (Max): 0.04Ω, power: 90W
Təsvir
PIP (Li Jun)
İstehsalçılar
PIP (Li Jun)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
P-channel, -30V, -4.8A, 49mΩ@-10V
Təsvir
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
N-channel, 600V, 10A, 0.75Ω@10V
Təsvir