Triode/MOS tube/transistor/module
PNP, Vceo=-45V, Ic=-100mA, hfe=200~450
Təsvir
APM (Jonway Microelectronics)
İstehsalçılar
YANGJIE (Yang Jie)
İstehsalçılar
2SA1037-R-F2-0000HF
Təsvir
Description: Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 60V Continuous Drain Current (Id): 300mA Power (Pd): 225W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8Ω@10V,500mA Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA Operating temperature: +150℃@(Tj)
Təsvir
MOSFET Type N Drain-Source Voltage (Vdss) (V) 120 Threshold Voltage VGS ±20 Vth(V) 2-4 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 6.5/8 Continuous Drain Current ID (A) 106
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
This bipolar power transistor is suitable for general purpose amplifiers and low speed switching applications. The MJD2955 (PNP) and MJD3055 (NPN) are complementary devices.
Təsvir
WPMtek (Wei Panwei)
İstehsalçılar
SPS (American source core)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
PANJIT (Qiangmao)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
WEIDA (Weida)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
WILLSEMI (Will)
İstehsalçılar
HGC (Hua Guan)
İstehsalçılar
RealChip (Shenxin Semiconductor)
İstehsalçılar
HUASHUO (Huashuo)
İstehsalçılar
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar