Triode/MOS tube/transistor/module
Xin Feihong
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA
Təsvir
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
This NPN bipolar transistor is suitable for audio amplifier applications. The device is housed in a SOT-223 encapsulation and is suitable for medium power surface mount applications.
Təsvir
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
N-channel, 40V, 180A, 2.4mΩ@10V
Təsvir
APM (Jonway Microelectronics)
İstehsalçılar
ST (STMicroelectronics)
İstehsalçılar
N-channel, 600V, 40A, 0.065Ω@10V
Təsvir
Littelfuse (American Littelfuse)
İstehsalçılar
Long-Tek (Long Xia)
İstehsalçılar
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
APEC (Fuding)
İstehsalçılar
MICROCHIP (US Microchip)
İstehsalçılar
SALLTECH (Sari)
İstehsalçılar
MOSFET Type N+N Drain-Source Voltage (Vdss) (V) 30 Threshold Voltage VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 On-Resistance RDS(ON) (mΩ) 15/20 Continuous Drain Current ID (A) 20
Təsvir
DIODES (US and Taiwan)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
N-channel, 60V, 35A, 32mΩ@10V
Təsvir
TWGMC (Taiwan Dijia)
İstehsalçılar
Transistor Type: PNP Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V Collector Current (Ic): 100mA Power (Pd): 200mW DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 220@2mA,5V
Təsvir