Triode/MOS tube/transistor/module
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar
NPN digital transistor 47k/47k
Təsvir
TECH PUBLIC (Taizhou)
İstehsalçılar
2 PNP, -50V, -100mA
Təsvir
CJ (Jiangsu Changdian/Changjing)
İstehsalçılar
NPN, Vceo=50V, Ic=100mA
Təsvir
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
APM (Jonway Microelectronics)
İstehsalçılar
ROHM (Rohm)
İstehsalçılar
HUAYI (Hua Yi Wei)
İstehsalçılar
NCE (Wuxi New Clean Energy)
İstehsalçılar
VBsemi (Wei Bi)
İstehsalçılar
CET (Huarui)
İstehsalçılar
N-channel, 60V, 300mA, 3Ω@10V
Təsvir
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
This PNP bipolar transistor is suitable for high gain, low noise general purpose amplifier applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Təsvir
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar
The ISL9V5036P3_F085 is a next generation IGBT that provides excellent SCIS capability within a TO-220 plastic encapsulation. This device is suitable for use in automotive ignition circuits, especially as a coil driver. Internal diodes provide voltage clamping without external components.
Təsvir
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
Infineon (Infineon)
İstehsalçılar
LRC (Leshan Radio)
İstehsalçılar
onsemi (Ansemi)
İstehsalçılar