onsemi (Ansemi)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
FDN86246 N-Channel 150V 1.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 1.6A, 261mΩ

FDN86246

N-Channel 150V 1.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 1.6A, 261mΩ
Hissə nömrəsi
FDN86246
Kateqoriya
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
İstehsalçı/Brend
onsemi (Ansemi)
İnkapsulyasiya
SSOT-3
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
3000
Təsvir
This N-channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench process optimized for rDS(on), switching performance and robustness.
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 89449 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
FDN8601 N-Channel 100V 2.7A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 100V, 2.7A, 109mΩ
FDN8601
N-Channel 100V 2.7A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 100V, 2.7A, 109mΩ
onsemi (Ansemi)
FDN86246 FDN86246
FDN86246
FDN86246
JSMSEMI (Jiesheng Micro)
FDN86246 N-Channel 150V 1.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 1.6A, 261mΩ
FDN86246
N-Channel 150V 1.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 1.6A, 261mΩ
onsemi (Ansemi)
FDN86265P P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω
FDN86265P
P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω
onsemi (Ansemi)
FDN86501LZ N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
FDN86501LZ
N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
onsemi (Ansemi)
Açar sözlərFDN86246
FDN86246 Elektron komponentlər
FDN86246 Satış
FDN86246 Təchizatçı
FDN86246 Distribyutor
FDN86246 Məlumat cədvəli
FDN86246 Şəkillər
FDN86246 Qiymət
FDN86246 Təklif
FDN86246 Ən aşağı qiymət
FDN86246 Axtar
FDN86246 Satınalma
FDN86246 Çip