onsemi (Ansemi)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
FDN86265P P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω

FDN86265P

P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω
Hissə nömrəsi
FDN86265P
Kateqoriya
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
İstehsalçı/Brend
onsemi (Ansemi)
İnkapsulyasiya
SSOT-3
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
3000
Təsvir
This P-channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process optimized to minimize on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 60895 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
FDN8601 N-Channel 100V 2.7A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 100V, 2.7A, 109mΩ
FDN8601
N-Channel 100V 2.7A N-Channel, PowerTrench MOSFET, 100V, 2.7A, 109mΩ
onsemi (Ansemi)
FDN86246 FDN86246
FDN86246
FDN86246
JSMSEMI (Jiesheng Micro)
FDN86246 N-Channel 150V 1.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 1.6A, 261mΩ
FDN86246
N-Channel 150V 1.6A N-Channel, Power Trench MOSFET, 150V, 1.6A, 261mΩ
onsemi (Ansemi)
FDN86265P P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω
FDN86265P
P-channel 150V 800mA P-channel, PowerTrench MOSFET, -150V, -0.8A, 1.2Ω
onsemi (Ansemi)
FDN86501LZ N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
FDN86501LZ
N-Channel 60V 2.6A N-Channel, Shielded Gate, PowerTrench MOSFET, 60 V, 2.6 A, 116 mΩ
onsemi (Ansemi)
Açar sözlərFDN86265P
FDN86265P Elektron komponentlər
FDN86265P Satış
FDN86265P Təchizatçı
FDN86265P Distribyutor
FDN86265P Məlumat cədvəli
FDN86265P Şəkillər
FDN86265P Qiymət
FDN86265P Təklif
FDN86265P Ən aşağı qiymət
FDN86265P Axtar
FDN86265P Satınalma
FDN86265P Çip