onsemi (Ansemi)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
NCD57000DWR2G Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.

NCD57000DWR2G

Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
Hissə nömrəsi
NCD57000DWR2G
Kateqoriya
Power Chip > Gate Driver IC
İstehsalçı/Brend
onsemi (Ansemi)
İnkapsulyasiya
SOIC-16-300mil
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
1000
Təsvir
The NCD57000 is a high current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation for high system efficiency and reliability in high power applications. Features include complementary inputs, open-drain FAULT and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLO, DESAT protection, soft shutdown on DESAT, and separate high and low driver outputs (OUTH and OUTL ). The NCD57000 can accommodate 5V and 3.3V signals on the input side, and a wide range of bias voltages on the driver side, including negative voltage capability. The NCD57000 provides > 5 kVrms (UL1577 rated) galvanic isolation and > 1200 Viorm (working voltage). The NCD57000 uses a wide body SOIC-16 encapsulation that guarantees 8 mm creepage distance between input and output, meeting reinforced safety insulation requirements.
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 69307 PCS
Əlaqə məlumatı
Açar sözlərNCD57000DWR2G
NCD57000DWR2G Elektron komponentlər
NCD57000DWR2G Satış
NCD57000DWR2G Təchizatçı
NCD57000DWR2G Distribyutor
NCD57000DWR2G Məlumat cədvəli
NCD57000DWR2G Şəkillər
NCD57000DWR2G Qiymət
NCD57000DWR2G Təklif
NCD57000DWR2G Ən aşağı qiymət
NCD57000DWR2G Axtar
NCD57000DWR2G Satınalma
NCD57000DWR2G Çip