onsemi (Ansemi) NTJD1155LT1G Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ

onsemi (Ansemi)

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

NTJD1155LT1G

Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ

Hissə nömrəsi

NTJD1155LT1G

Kateqoriya

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

İstehsalçı/Brend

onsemi (Ansemi)

İnkapsulyasiya

SC-88-6

Qablaşdırma

taping

Paketlərin sayı

3000

Təsvir

NTJD1155L integrates P-channel and N-channel MOSFETs in one encapsulation. The device is especially suitable for portable electronic equipment requiring low control signals, low battery voltage and high load current. This P-channel device is designed for use in load switches using ON Semiconductor's advanced trench technology. This N-channel acts as a level shifter with an external resistor (R1) driving the P-channel. The N-channel MOSFET has internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5 V. The NTJD1155L operates from a 1.8 to 8.0 V supply line and can drive loads up to 1.3 A with 8.0 V applied to VIN and VON/OFF.

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 67995 PCS

Əlaqə məlumatı