TECH PUBLIC (Taizhou)
Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.
NTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G
Hissə nömrəsi
NTJD4105CT1G
Kateqoriya
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
İstehsalçı/Brend
TECH PUBLIC (Taizhou)
İnkapsulyasiya
SOT-363-6
Qablaşdırma
taping
Paketlərin sayı
3000
Təsvir
Sitat tələb edin
Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.
Stokda 90459 PCS
Əlaqə məlumatı
Əlaqədar Məhsullar
Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
8V Dual P-Channel, High Side Load Switch with Level Shift, Power MOSFET, -8V, ±1.3A, 175mΩ
onsemi (Ansemi)
2 N-Channel 30V 250mA Dual N-Channel Small Signal MOSFET 30V 250mA 1.5Ω
onsemi (Ansemi)
2 N-channel 60V 295mA Dual N?Channel Power MOSFET with ESD Protection 60V, 295mA, 1.6Ω
onsemi (Ansemi)
Açar sözlərNTJD4105CT1G
NTJD4105CT1G Elektron komponentlər
NTJD4105CT1G Satış
NTJD4105CT1G Təchizatçı
NTJD4105CT1G Distribyutor
NTJD4105CT1G Məlumat cədvəli
NTJD4105CT1G Şəkillər
NTJD4105CT1G Qiymət
NTJD4105CT1G Təklif
NTJD4105CT1G Ən aşağı qiymət
NTJD4105CT1G Axtar
NTJD4105CT1G Satınalma
NTJD4105CT1G Çip