GeneSiC Semiconductor 1N8024-GA DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

1N8024-GA

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257

Hissə nömrəsi

1N8024-GA

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-257-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-257

Diod növü

Silicon Carbide Schottky

Cari - Orta Düzəliş (Io)

750mA

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.74V @ 750mA

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 1200V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

1200V

Sürət

No Recovery Time > 500mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

0ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 250°C

Kapasitans @ Vr, F

66pF @ 1V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 19719 PCS

Əlaqə məlumatı