GeneSiC Semiconductor 1N8032-GA DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

1N8032-GA

DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257

Hissə nömrəsi

1N8032-GA

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tube

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

TO-257-3

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-257

Diod növü

Silicon Carbide Schottky

Cari - Orta Düzəliş (Io)

2.5A

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.3V @ 2.5A

Cari - Əks Sızma @ Vr

5µA @ 650V

Gərginlik - DC Əks (Vr) (Maks.)

650V

Sürət

No Recovery Time > 500mA (Io)

Əks Bərpa Müddəti (trr)

0ns

İşləmə temperaturu - Qovşaq

-55°C ~ 250°C

Kapasitans @ Vr, F

274pF @ 1V, 1MHz

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 47357 PCS

Əlaqə məlumatı