GeneSiC Semiconductor KBJ2508G DIODE BRIDGE 800V 25A KBJ

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

KBJ2508G

DIODE BRIDGE 800V 25A KBJ

Hissə nömrəsi

KBJ2508G

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

Standard

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

4-SIP, KBJ

Təchizatçı Cihaz Paketi

KBJ

Diod növü

Single Phase

Gərginlik - Pik Əks (Maks)

800V

Cari - Orta Düzəliş (Io)

25A

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.05V @ 12.5A

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 800V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 12196 PCS

Əlaqə məlumatı