GeneSiC Semiconductor KBJ2510G DIODE BRIDGE 1000V 25A KBJ

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

KBJ2510G

DIODE BRIDGE 1000V 25A KBJ

Hissə nömrəsi

KBJ2510G

İstehsalçı/Brend

GeneSiC Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Bulk

Texnologiya

Standard

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 125°C (TJ)

Montaj növü

Through Hole

Paket / Çanta

4-SIP, KBJ

Təchizatçı Cihaz Paketi

KBJ

Diod növü

Single Phase

Gərginlik - Pik Əks (Maks)

1kV

Cari - Orta Düzəliş (Io)

25A

Gərginlik - İrəli (Vf) (Maks) @ Əgər

1.05V @ 12.5A

Cari - Əks Sızma @ Vr

10µA @ 1000V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 26897 PCS

Əlaqə məlumatı