Infineon Technologies IPC218N04N3X1SA1 MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPC218N04N3X1SA1

MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL

Hissə nömrəsi

IPC218N04N3X1SA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

Die

Təchizatçı Cihaz Paketi

Sawn on foil

Gücün Dağılması (Maks.)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

40V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2A (Tj)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 200µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 36762 PCS

Əlaqə məlumatı