Infineon Technologies IPC26N12NX1SA1 MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

IPC26N12NX1SA1

MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

Hissə nömrəsi

IPC26N12NX1SA1

İstehsalçı/Brend

Infineon Technologies

Serial

OptiMOS™

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

Die

Təchizatçı Cihaz Paketi

Sawn on foil

Gücün Dağılması (Maks.)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

120V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1A (Tj)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

4V @ 244µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

10V

Vgs (Maks.)

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 49070 PCS

Əlaqə məlumatı