Nexperia USA Inc. PMXB350UPEZ MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PMXB350UPEZ

MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN

Hissə nömrəsi

PMXB350UPEZ

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

3-XDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

DFN1010D-3

Gücün Dağılması (Maks.)

360mW (Ta), 5.68W (Tc)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

20V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.2A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

447 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

116pF @ 10V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±8V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 16059 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

PMXB120EPE

MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN