Nexperia USA Inc. PMXB360ENEAZ MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

PMXB360ENEAZ

MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Hissə nömrəsi

PMXB360ENEAZ

İstehsalçı/Brend

Nexperia USA Inc.

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

3-XDFN Exposed Pad

Təchizatçı Cihaz Paketi

DFN1010D-3

Gücün Dağılması (Maks.)

400mW (Ta), 6.25W (Tc)

FET növü

N-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

80V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

1.1A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ İd

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

130pF @ 40V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

4.5V, 10V

Vgs (Maks.)

±20V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43801 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

PMXB120EPE

MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN