ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Məlumat vərəqləri

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Hissə nömrəsi

HGTD1N120BNS9A

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Digi-Reel®

Giriş növü

Standard

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Güc - Maks

60W

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-252AA

Əks Bərpa Müddəti (trr)

Cari - Kollektor (Ic) (Maks.)

5.3A

Gərginlik - Kollektor Emitentinin Dağılması (Maks.)

1200V

IGBT növü

NPT

Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 1A

Cari - Kollektor Pulsed (Icm)

Enerjinin dəyişdirilməsi

70µJ (on), 90µJ (off)

Qapı yükü

14nC

Td (on/off) @ 25°C

15ns/67ns

Test Vəziyyəti

960V, 1A, 82 Ohm, 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 15054 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA