ON Semiconductor HGTD3N60C3S9A IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

HGTD3N60C3S9A

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Hissə nömrəsi

HGTD3N60C3S9A

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Obsolete

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Giriş növü

Standard

İşləmə temperaturu

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Güc - Maks

33W

Təchizatçı Cihaz Paketi

TO-252AA

Əks Bərpa Müddəti (trr)

Cari - Kollektor (Ic) (Maks.)

Gərginlik - Kollektor Emitentinin Dağılması (Maks.)

600V

IGBT növü

Vce(on) (Maks) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 3A

Cari - Kollektor Pulsed (Icm)

24A

Enerjinin dəyişdirilməsi

85µJ (on), 245µJ (off)

Qapı yükü

10.8nC

Td (on/off) @ 25°C

Test Vəziyyəti

480V, 3A, 82 Ohm, 15V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 22448 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

HGTD1N120BNS9A

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA