ON Semiconductor NTJS3151PT1G MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Şəkil təsvir ola bilər.
Məhsul təfərrüatları üçün spesifikasiyalara baxın.

Ətraflı Məlumata Baxın Məlumat vərəqləri

NTJS3151PT1G

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Hissə nömrəsi

NTJS3151PT1G

İstehsalçı/Brend

ON Semiconductor

Serial

Hissə Vəziyyəti

Active

Qablaşdırma

Tape & Reel (TR)

Texnologiya

MOSFET (Metal Oxide)

İşləmə temperaturu

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaj növü

Surface Mount

Paket / Çanta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Təchizatçı Cihaz Paketi

SC-88/SC70-6/SOT-363

Gücün Dağılması (Maks.)

625mW (Ta)

FET növü

P-Channel

FET Xüsusiyyəti

Mənbə Gərginliyinə Drenaj (Vdss)

12V

Cari - Davamlı Drenaj (Id) @ 25°C

2.7A (Ta)

Rds On (Maks) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ İd

1.2V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Maks) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Giriş Kapasitansı (Ciss) (Maks) @ Vds

850pF @ 12V

Sürücü Gərginliyi (Maks Rds Aktiv, Min Rds Aktiv)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks.)

±12V

Sitat tələb edin

Zəhmət olmasa, bütün tələb olunan sahələri doldurun və "GÖNDƏR üzərinə klikləyin, biz 12 saat ərzində sizinlə e-poçt vasitəsilə əlaqə saxlayacağıq. Hər hansı bir probleminiz varsa, [email protected] ünvanına mesaj və ya e-poçt göndərin, ən qısa zamanda cavab verəcəyik.

Stokda 43588 PCS

Əlaqə məlumatı

Əlaqədar Məhsullar

NTJS3151PT1G

MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363